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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A有的是款寬敞型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，用無引腳RoHS兼容型SMT封口。 該電子元件提高13 dB小移動信號轉型增益控制，存在25 dBc邊帶治理和改善。 HMC6147ALC5A用低躁音圖像電壓放大器來win7驅動安裝I/Q混頻器，LO由X2倍頻器win7驅動安裝。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A也是款緊湊轎車型GaAs MMIC I/Q下軟啟動器，采取遵循RoHS標準的12引腳、瓷質無鉛單片機芯片的載體(LCC)二極管封裝。該電子元器件可以提供14 dB的小訊號裝換增益控制和25 dBc的iso鏡像治理和改善耐腐蝕性。HMC6789BLC5A采取低嘈音增加器帶動器I/Q混頻器，在這當中LO由x2乘法器帶動器

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E一款緊湊轎車型GaAs MMIC鏡象軟件可仰制事業噪音小污染定頻器，用完全符合RoHS的標準的無鉛SMT封裝形式。 該元器件封裝出示13 dB的小無線信號變為增益控制，17 dBc的鏡象軟件可仰制和-2 dBm復制粘貼IP3。 HMC1065LP4E合理利用RF LNA和由有源X2倍頻器驅動包的I/Q混頻器事業。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E不是款緊奏型轎車型GaAs MMIC I/Q下變頻器，適用無鉛5 x 5 mm低應力比吹塑塑膠表貼二極管封裝。 該功率器件可以提供12 dB的小信號燈改換收獲、1.8 dB的低頻噪音指數公式和25 dBc的系統鏡像文件調控效能。 HMC1113LP5E適用LNA，后接由LO阻尼器器變大器推動的系統鏡像文件調控混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B不是款緊奏型轎車型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，用符合國家RoHS標的無引腳SMT二極管封裝。 該集成電路芯片在整體頻段的范圍內帶來13 dB的小移動信號轉成收獲、2 dB的環境噪聲數值和24 dB的鏡象緩和效果。 HMC951B用LNA，后接由LO緩存器變小器推動的鏡象緩和混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108也是款緊奏型型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單整合線路電源芯片紅外光整合線路(MMIC)同相正交(I/Q)低低頻噪音轉為器，通過合適RoHS標準規范的瓷質無鉛整合線路電源芯片質粒封口。HMC8108將范疇為9 GHz至10 GHz的頻射(RF)設置的衛星信號轉為為效果新風系統的60 MHz典型案例單端中頻(IF)的衛星信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE就是一款緊密型I/Q MMIC混頻器，用“無鉛”SMT封裝形式，能夠用作系統鏡像抑制性混頻器或單向帶變頻器。 該混頻器用兩個人原則Hittite雙不平衡量混頻器第一單元和另一個70度混合著器材，均用GaAs Schottky電感技術加工制造。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E一款緊促型I/Q MMIC混頻器，主要包括“無鉛”SMT封口，用于作鏡像軟件促使混頻器或單向帶進變頻柜器。 該混頻器主要包括二個標淮Hittite雙平穩混頻器單元尺寸和一些直角相混電子元件，均主要包括GaAs Schottky肖特基二極管藝研制。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 組建在Qorvo的氮化鎵科技基礎上以上，該科技可做到更大的錯誤率，可信性，額定工率和可發展性，并可節省資金外形尺寸，載重量和資金。的FEM將重要性的T / R版塊能力結合到的主體工程的封裝類型中：T / R旋鈕，額定工率變成器和低環境噪聲變成器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A是一種款砷化鎵(GaAs)單IC存儲芯片紅外光融合電源電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，運用包含RoHS的標準的24引腳、瓷質無鉛IC存儲芯片媒體(LCC)封裝類型。該電子元件可以使用作鏡像軟件治理和改善混頻器或單側喊上變頻柜器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是款無源寬帶網絡I/Q單單片機芯片紅外光ibms電路原理(MMIC)混頻器，都可以作閱讀器iso鏡像促使混頻器或放射器單向帶上去變頻式器。HMC8191擁有6 GHz至26.5 GHz的rf射頻(RF)和本振(LO)面積、DC至5 GHz的中頻(IF)下行帶寬，是好需寬頻率面積

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B也是款緊密型GaAs MMIC I/Q混頻器，分為具備RoHS規格的無引腳SMT工業陶瓷裝封。 該器材可作作系統鏡像遏制混頻器或單側帶有調頻器。 該混頻器分為兩根規格雙穩定性混頻器單元測試卷和1個九十度比調器材，均分為GaAs MESFET加工工藝開發。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4是款高信息條件GaAs PHEMT MMIC中等水平最大電率拖動器，通過無引腳“無鉛”SMT裝封。 該拖動器有17至24 GHz的辦公條件，可以提供22 dB增益控制、+26 dBm供大于求最大電率和23% PAE（+5V電源線直流電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4就是款適用GaAs PHEMT MMIC驅動程序變大器，選取兼有RoHS標準化的無引腳SMT二極管封裝。 該變大器選取+5V單外接電源，增加收益為15 dB，是處于飽和狀態瓦數為+18 dBm。 在這個崗位頻段內兼有統一的增加收益和轉換瓦數

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4就是一款GaAs PHEMT MMIC驅程拖動器，用到無鉛4x4 mm表貼淘瓷裝封，任務幾率條件為5.5至17 GHz。 該拖動器提供數據高達mg30 dB的增益值、+30 dBm的所在IP3及+23 dBm的的所在工率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4就是款GaAs PHEMT MMIC控制縮放器，主要采用無鉛4x4 mm淘瓷表貼裝封，工作中頻點區間為5至20 GHz。 該縮放器帶來到達21 dB的收獲、+29 dBm導出IP3及+22 dBm的導出輸出（1 dB收獲再壓縮時），功能消耗為180 mA（+5V供電）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498是款高的動態區間GaAs PHEMT MMIC電機電功率放小器，工作中工作頻率區間為17至24 GHz。 HMC498具備24 dB收獲，呈現飽和狀態電機電功率為+27 dBm，直流電壓直流電壓為+5V (25% PAE)。 因為外形尺寸較小，HMC498放小器可方便智能家居控制到多處理器方案(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596是一種款多級GaAs HEMT MMIC中等水平電率變成器，辦公次數使用范圍為16至33 GHz。 HMC-APH596打造17 dB增益值，采取+5V電源線直流電壓時具備著+24 dBm輸出電壓電率（1 dB壓解）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專門采取裝修設計采用以最長的直流電壓瓦數變現高OIP3。超非線性耐磨性已在150MHz至3GHz的條件頻段中的介紹信。RFGA2012都具有VBIAS引腳，不能用戶組采取相應規范要求簡化靜態式的電流大小。VBIAS引腳也可以使用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024是款高特性InGaP HBT MMIC變大器。RFGA0024的內控有源偏置用電線路能接受變大器會直接從5V電壓工作上，并提供數據保持穩定的電流大小隨溫暖變幻規律沒收違法所得理Beta變幻規律。這個達林頓變大器的內控自動匹配阻值為50歐姆，相對滿足都要小長度和更少內部組件的應該用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014是一個款高耐磨性InGaP HBT MMIC放小器。RFGA0014的內部組織結構有源偏置用電線路合法放小器間接從5V電源線上班，并提拱安穩的電流量隨室內溫度發生發生變化沒收違法所得理Beta發生發生變化。這車達林頓放小器的內部組織結構適應電阻器為50歐姆，如此時候需要小厚度和至少外鏈組件的應用軟件。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為進而或驅程器級用定制的曲線輸入模擬輸出放縮器IC。該集成電路存儲芯片按照有帶后邊一定接地的無引線存儲芯片媒介。RF5633定制代替在具有廣泛性的氣溫和輸入模擬輸出輸入模擬輸出依據內實現曲線。外一致為多種頻段的輸入模擬輸出輸入模擬輸出具備可控性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為高的英語輸出馬力用定制的規則化輸出馬力放小器IC。該配件適用品質可靠的InGaP異質結雙極硫化鋅管（HBT）技藝研制，定制可作802.16e使用器的最中頻射放小器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827一款萬能，低人工成本，高規則化度的RF圖像功率縮放器IC。該電子器件運用砷化鎵新工藝制造出，運用3mm x 3mm，16引腳QFN封裝類型。它非常的適用做規則化/低嗓聲圖像功率縮放器，在這其中OIP3值為38dBm，嗓聲因子乘以1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315就是一款高效能率砷化鎵異質結雙極硫化鋅管（HBT）調小器，利用低人工成本單單從表面貼裝封裝。該調小器極為適用人群于還要200MHz至3GHz率依據內的高波形度和低背景噪聲常數的應用領域。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223有的是款APP低投入從表面貼裝打包裝封的極有效率GaAs異質結雙極硫化鋅管（HBT）增加器。該增加器很采中用必須要 500MHz至3GHz聲音頻率超范圍內的高平滑度和工作噪音小污染指數的APP。RF3223APP單5V電電力，APP經濟實惠的3mm x 3mm QFN打包裝封。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220是一個款高效果率砷化鎵異質結雙極納米線管（HBT）縮放器，通過低的成本表面層貼裝二極管裝封。該縮放器愈來愈應主要用于是需要500MHz至3GHz的頻率范圍之內內的高波形度和低噪音污染比率的app。RF3220通過單5V開關電源供氣，通過區域經濟的3mm x 3mm QFN二極管裝封。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是對應3V攜便式型機 的高耗油率高效益率線型變成器IC。該電子器件所采用發達的砷化鎵異質結雙極硫化鋅管（HBT）技藝營造，裝修設計用于雙模型3V CDMA / AMPS攜便式型數字5蜂窩機 擴頻機 和某個應運中的最中RF變成器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000不是款一體化型式限幅器/ LNA，可在2-20GHz的頻段面積內給出穩進，高耐熱性。QPM1000在收獲操縱下給出17 dB的小數據收獲，在整塊的頻段面積內具備1.7 - 4 dB的躁音標準值，> 18 dBm P1dB。還有，一體化型限幅器給出萬代高達4 W的入射效率的穩進性級別，而是不會減輕耐熱性。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM成立廠家于1997年110月，由一大幫在紅外光通信加熱電源電路規劃和紅外光通信加熱電子元件制造水平水平角度實踐經驗很多的紅外光通信加熱規劃師分解成。它座落荷蘭馬里甘肅蓋瑟斯堡，距華盛頓西南約20英里。該廠家做專業的紅外光通信加熱規劃團隊擁有盛譽，該團隊收錄電工作效率FET，MMIC電工作效率放小器甚至帶RF和DC連結器的高電工作效率放小器模組，一些模組已籌備 使用方便于紅外光通信加熱平臺。