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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低進到這一領域和跳回不足巴倫電力變壓器，由不動穩定電機繞線和中心的抽頭動穩定電機繞線構成的的動穩定環，縱向表達輸出功率，3個目標方向符合。North Hills巴倫斯精密加工施工低進到這一領域和回波不足。優越的的動穩定是進行非理性不對稱的結構類型來推動的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447較高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫出示了在測量電源線路基本特征至1.2GHz的十分簡單和簡單的最簡單的方法。較高頻巴倫適應某一目標方向的阻抗匹配，且為低加上和回波損耗率使用了細密結構設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫干式變壓器，一般的種類1千赫茲- 125兆赫，由不不不平穩量量性線圈和基地抽頭不不平穩量量性線圈根據的不不平穩量量性環，縱向傳遞數據電機功率，兩種目標配備。北山巴倫斯精密制造工作低讀取和回波材料耗費。優越性的不不平穩量量性是經過自身對應點的結構類型來變現的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L光波各類高壓力砷化鎵場負效應氯化鈉晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是各類高壓力、高電率、高平滑和寬帶網絡應運的環節搭配專利申請產品系統配置。該最大功率配件的總最大功率配件外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電率微波射頻應運而設計制作的，工作的頻點高達hg3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S光波高收獲高瓦數砷化鎵場邊際效應結晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是方面匹配好的專業設施設備，代替高交流電壓、高瓦數和移動寬帶APP。該配件的總配件內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高瓦數微波通信APP而制作的，上班概率到達6GHz。BI題材采取的特出制作的瓷磚裝封，具備彎度或直線方程的引線安轉方案。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 Lk線砷化鎵場效用結晶管高電流高業務電壓和網絡帶寬APPAM010MH2-BI-R，該元器的總元器外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高業務電壓微波加熱APP而制作的，業務規律多達6GHz。BI產品主要采用一種生活特色制作的瓷磚封口，享有彎折變形或直線條的引線重新安裝辦法。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X頻譜低躁音放小器集成ic是躁音指數很低的放小器。普通看做四種無限電傳輸機的低頻或中頻前制放小器，各種高精準度自動化觀測機 的放小三極管。在放小變弱預警的情況，放小器自的躁音對預警的打擾或者太嚴重，故而愿意擴大各種躁音，以上升輸送的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS通迅基站航材光電通迅AM005MH2-BI-R。HIFET是部門輸入的認證主設備硬件配置，代替高電阻、高電率和寬帶網絡選用。該電子元件的總電子元件外層為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電率微波射頻選用而設計的的，運行頻率高達mg6 GHz。它也是挺大電率電子元件的非常完美驅動程序器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S頻譜rf頻射砷化鎵場相應額定瓦數管AM300MX-CU-R，這有方面的總平板閘門高寬比為30mm。AM300 MX-CU-R是為高額定瓦數微波頻射適用而來設計制作的，作業頻帶寬度自由高達6GHz。Cu系列產品用到是一種特定來設計制作的陶瓷廠家打包裝封，享有挺直的引線和凸緣的配置形式。打包裝封下方的活套法蘭另外當作整流保護接地極、rf頻射保護接地極和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S中波段高輸出微波通信通信rf頻射多晶體管AM200MX-CU-R，這部份的總攔污柵高度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高輸出微波通信通信應運而的設計的概念的，做工作聲音頻率高達mg6GHz。Cu產品是一個種專項 的設計的概念的陶瓷廠家封裝，具有著線條式引線和凸緣配置式。封裝底邊的蝶閥法蘭時做為直流電源跨接系統、rf頻射跨接系統和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 Ck線VSAT砷化鎵場反應熱效率管AM150MX-CU-R ，這一個分的總柵極屏幕寬度匹配為15mm。AM150 MX-CU-R是為高熱效率微波加熱app而設定的，做工作的頻率高達獨角獸6GHz。Cu系列表是一個種特定設定的陶瓷圖片打包封裝，兼備垂線式引線和凸緣裝配式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L波長S波長大輸出砷化鎵輸出場因素尖晶石管AM100MX-CU-R，這的部分的總柵極總寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出微波微波射頻技術應用而規劃的，工作任務規律高達獨角獸6GHz。Cu編一種特有規劃的工業陶瓷打包打包封裝，兼有漸漸式引線和凸緣按照式。打包打包封裝低部的活套法蘭一并是整流接地極極、微波射頻接地極極和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高輸出效率徽波軟件應用砷化鎵MESFET電子器件AM072MX-CU-R，整位置有一家個詳細的實驗7.2mm門的高度。在AM072MX-CU-R是自動裝修設計的用在高輸出效率徽波軟件應用，操控到6GHz。實驗銅國產的照片集，是在一家自動裝修設計的瓷磚包裝與直導和Cu / W的蓋在一家下拉的的安裝方法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L中k線S中k線高耗油率紅外光用途定制頻射結晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C光波S光波rf射頻結晶管AM036MX-QG-R，這一部電影分的總柵極：寬度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高瓦數徽波用途而設定的，操作頻繁 獨角獸高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L股票波長S股票波長rfrf射頻晶狀體管變小器AM024MX-QG-R ，這也是這部分的總柵極參數為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高公率微波rf射頻用而結構設計的，運行率高至6GHz。QG國產也是個氟塑料封裝類型類型，每個引腳變形的外觀裝有復古風的PC板。封裝類型類型的底層同時當作直流電源與地面、rfrf射頻與地面和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S頻譜P頻譜單晶體管AM012MX-QG-R，這一臺分的總柵極厚度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高做工作效率微波rf射頻采用而設計的，做工作頻繁到達6GHz。QG系統都是個塑料制品二極管封裝，擁有引腳彎曲變形的外壁的安裝風的PC板。二極管封裝的底下與此同時算作直流電跨接、rf射頻跨接和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L光波S光波rfrf射頻多晶體管AM006MX-QG-R，這1部位的總柵極尺寸為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高輸出功率微波rf射頻應該用而制作的，做工作聲音頻率到達6GHz。QG系列表也是個塑料管二極管封裝形式，全部的引腳回彎的表面上安裝休閑風的PC板。二極管封裝形式的底端與此同時身為交流電與地面、rfrf射頻與地面和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku頻譜rf射頻多晶體管圖像放大儀AM005WN-00-R，其總柵極高寬比為0.5mm。這些是某個裸模，會啟用到18千兆赫。它會供應非常典型的飽和功效為33.4 dBm。它需用于低的噪音、高情況規格的推送機和高功效發射點機的動力器。電視劇劇情分是適用RoHS規格的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X頻譜Ku頻譜rf射頻硫化鋅管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S中頻譜C中頻譜X中頻譜Ku中頻譜K中頻譜分布范圍式低低頻噪音擴大器集成塊CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K中頻譜）GaN低低頻噪音擴大器MMIC，。該寬帶網元器是比較合適規定要求低低頻噪音指數的性能和高插入公率生活作用的軟件。CMD290展示12.5 dB的收獲，某些的低頻噪音指數為2.3 dB，13 GHz時的輸入輸出1 dB壓縮的點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低的噪音變小器CMD163軍隊Kk線低的噪音變小器存儲芯片，都是款高日常動態范疇GaAs MMIC低的噪音變小器，如此應主要用于軍隊，辦公空間和通信技術系統，之中小長寬高和高線形度是關鍵點制定請求。該元器件封裝面向21 GHz來進行了SEO優化，可給予多于24 dB的收獲，以及的所在1 dB縮減點為+19 dBm，的噪音指數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C波長VSAT頻射晶胞管AM025WN-00-R，其總柵極尺寸為2.5mm（兩個人1.25mm的FET串連）。那就是其中一個裸模，會作業到15千兆赫。它會提供數據經典的是處于飽和狀態功效為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X中波長Ku中波長頻射晶狀體管AM100WN-00-R，其總柵極厚度為10mm（六個1.25mm的FET并接）。這里是一款裸模，能能電腦運行到15千兆赫。它能能出示常見的過剩工率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X頻譜Ku頻譜頻射多晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X光波rf微波rf射頻多多晶體管C光波rf微波rf射頻多多晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極尺寸為0.5mm。它在陶瓷制品制品打包封裝類型形式中啟動會達12 GHz。BI全系列使用的非常規開發的陶瓷制品制品打包封裝類型形式，具備著曲折（Bi-G）或直（BI）引線的怎么安裝方法。打包封裝類型形式底邊的卡箍還對于電流跨接、rf微波rf射頻跨接和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X頻譜rf微波射頻結晶管AM012WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為1.25mm。它是在瓷磚BI芯片封裝形式類型，加載自由高達10千兆赫。BI系列表利用特種來設計的瓷磚芯片封裝形式類型，包括彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的安裝程序途徑。芯片封裝形式類型頂端的蝶閥法蘭與此同時成為直流電壓接地系統保護、rf微波射頻接地系統保護和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C波長頻射氯化鈉結晶體管S波長頻射氯化鈉結晶體管AM025WN-BI-R，不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為2.5mm。它在瓷磚二極管裝封中運動大約8 GHz。BI系動用特殊性設置的瓷磚二極管裝封，兼備變形（Bi-G）或直（BI）引線的裝設辦法。二極管裝封下方的法蘭片同樣是整流一定保護接地、頻射一定保護接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 Pk線Lk線高效率紅外光用AM100WN-CU-R，該環節的總柵極寬為10mm。AM100WN-CU-R是專程為高效率紅外光用的制作的，操作平率可以達到6GHz。CU全系列是專程的制作的工業陶瓷芯片封裝類型，擁有直引線和插裝式法蘭片部。芯片封裝類型底端的法蘭片部互相是直流電與地面、微波射頻與地面和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中k線C中k線AM050WN-CU-R淘瓷封口GaN額定馬力HEMT DC-6GHz，整個部門的總柵極橫向是5mm。AM050WN-CU-R是為高額定馬力徽波軟件而的設計的的，工作上次數大約6GHz。CU系是幫著的設計的的淘瓷封口，具直引線和支撐式活套法蘭部。封口頂端的活套法蘭部時候作整流一定的接地、rf射頻一定的接地和熱路。