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L頻譜進行高壓砷化鎵場相應氯化鈉晶體管AM010MH4-BI-R

發布信息時候:2018-11-05 15:33:48     手機瀏覽:1760

描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙產品系統GaAs HIFET的一步分。HiFET是油田、高效率、高線性網絡和聯通寬帶用的地方契合知識產權機器系統配置。該電子元件的總電子元件外部為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高效率微波通信用而定制的,工作上頻段將高達3GHz。BI產品系統用于一些特別的定制的瓷質裝封,體現了彎折或垂直的引線和凸緣進行安裝方案。裝封下端的法蘭片同一時間是整流的接地裝置、頻射的接地裝置和熱路。這一個HiFET是契合RoHS細則的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM010MH4-BI-R 1周 50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
采用可行排熱的瓷質封裝類型


應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信
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