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用具備有自立柵極偏置管控的并行執行單晶體管的GaN HEMT調大器的規則化怎強

公布的時長：2018-05-04 13:53:07     搜素：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：食用有自己柵極偏置調節的串聯氯化鈉晶體管的GaN HEMT縮放器的規則化改善。 GaN HEMT存在較高的輸入轉換電轉換高密度和較寬的帶寬的配置效果。如果，GaN HEMT的非平滑典范地比GaAs配件的非平滑更差。我們指出了種非常簡單的方式來挺高GaN HEMT的非平滑度。所指出的方式是將配件劃分出與獨特把握的柵極偏置電流電壓串連的若干子第一單元尺寸，后來將電轉換合并且為子第一單元尺寸輸入轉換。角色介紹擴大器..
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