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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具備著高輸入最大電機功率孔隙率和網絡帶寬寬下的優質率。只不過GaN HEMT的直線度一般來說比GaAs電子配件的直線度差。本詩提供新一種簡略的措施來改善GaN HEMT的直線度。所提供的措施是將電子配件提成與自立保持的柵極偏置電壓電流電容串聯的幾個子單園，然而對聯單園輸入做出最大電機功率女子組合。

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