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我們公司報告書了一大個高能的GaN MMIC傷害增加器做工作在40MHz到400MHz互相。此保持了80W電電磁（100US電電磁：寬度和10%占空比）MMIC循環法）傷害傷害（P5dB），40MHz，50W成耗油率為54%最少30%的成耗油率在大組成部分的里頭股票波段，和在400MHz時，成耗油率正漸漸大幅度降低到30W，成耗油率為22%。40-400MHz頻段的傷害增加收益為25dB。此超高帶能是按照剪截產品來保持了的。傷害阻抗搭配，并食用顯著的帶寬線路搭配拓撲關系學。兩個產品的詳實設計的概念新技巧并明確搭配線路。指數公式免責條款-帶寬增加器，高的電壓新技巧，微波通信電子器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
編（圖2）。交流電偏置電阻和微波射頻模擬傳輸電阻值這樣的HIFET基本上1.4mm標準電板的成倍。試驗裝置，越來越是在超低頻高壓發生器段。經過非常合適的抉擇標準第一單元機的數值和第一單元第一單元機的使用量編，咱們是可以提高HIFET模擬傳輸電阻值為相當50歐姆，以達成帶寬耐磨性。