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CREE的CMPA2735030是種按照氮化鎵 (GaN) HEMT 的單支徽波集合線路 (MMIC)。與硅或砷化鎵較之較，GaN還具有變得更加出色的特點；還包括挺高的電壓擊穿場強；挺高的是處于飽和狀態微電子漂移效應和挺高的傳熱性標準值。與Si和GaAs結晶管不同之處較，GaN HEMT還供應了會高的功效容重和更寬的速率。CMPA2735030比如有級電抗替換電率變小器設計的思維，就可以實現目標往往寬的下行帶寬。

表現形式

固定電阻值多達 50 V

高擊穿電壓場強

高度為 5mm x 5mm；QFN 芯片封裝

中高溫度食用

用行業領域

民用建筑型和軍用用單脈沖統計額定功率拖動器

新產品尺寸規格

敘說：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 額定功率放小器

至少工作頻率(MHz)：2700

最高的速度(MHz)：3500

極限值輸出工作電壓(W)：30

收獲值(dB：)30.0

本職工作使用率（％）：45

固定電流(V)：50

形勢：離散裸電源芯片

封裝類屬：Die

高技術：GaN-on-SiC

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