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CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅單晶硅上只能根據氮化鎵 (GaN) 高電子元器件轉移率多晶體管 (HEMT) 的單面微波加熱結合三極管 (MMIC)；CMPA1D1E030D選擇使用0.25μm柵極規格的工藝工程師性。與硅比較較，GaN-on-SiC體現了更大品質的安全性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包括更大的損壞場強；更大的是處于飽和狀態電子廠漂移效果和更大的傳熱指數公式。

表現

27 dB 小手機信號收獲值

30 W 明顯 PSAT

任務電壓值高至 40 V

高損壞場強

室溫度調節

廣泛應用范圍

遙感衛星網絡通訊上行速率線路

軟件尺寸

陳述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 瓦數調小器

最低標準速度(MHz)：13750

是最高的工作頻率(MHz)：14500

極高值傷害功效(W)：30

收獲值(dB)：26.0

質量（％）：25

工作上的電壓(V)：40

風格：MMIC 裸片

封裝類型品目：Die

方法：GaN-on-SiC

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