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CREE的CMPA1D1E025F是款炭化硅單晶硅上據氮化鎵 (GaN) 高微電子移動率尖晶石管 (HEMT) 的片式微波射頻整合電路板 (MMIC)；適用 0.25 μm 柵極寬度制作而成方法。與硅相對較，GaN-on-SiC擁有愈加良好的耐熱性；砷化鎵或硅基氮化鎵；其中包含會高的穿透場強；會高的飽和點電子元器件漂移錯誤率和會高的導電標準值。CMPA1D1E025 選擇 10 電線；25 mm x 9.9 mm；合金材料/陶瓷廠家活套法蘭盤封口要能實行最佳的電力電氣系統和熱比較穩明確。

有特點

24 dB 小預警收獲值

40 W 典型的脈沖激光走勢 PSAT

功率電阻高至 40 V

OQPSK 下 20 W 線形最大功率

A/B類高收獲；科學規范率 50 Ω MMIC Ku 工作頻率段高工率拖動器

軟件層面

軍工行業用和商用機 Ku 中波段統計

軟件標準

闡述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku k線 GaN MMIC 耗油率放小器

平均速率(MHz)：13500

是最高的概率(MHz)：14500

高值打印輸出耗油率(W)：25

收獲值(dB)：26.0

事業速率（％）：16

額定功率輸出功率(V)：40

形式：裝封的MMIC

打包封裝分類：活套法蘭盤

技巧：GaN-on-SiC

珠海市立維創展新材料技術有限的廠家受權經售CREE微波射頻配件，假如要有購CREE產品設備，請鼠標點擊左測客戶服務鏈接我們的！！！