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?GTVA101K4 L波長工作功率圖像運放電路CREE

發布新聞耗時:2023-09-13 16:58:47     網頁瀏覽:1246

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

癥狀

設置更換

常用的激光脈沖間隔波機械性能;960–1215MHz;50V;一層;128μs脈沖發生器凈寬;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的打出輸出;操作學習效率=68%;收獲值=17dB

無鉛并需求RoHS規定

應用業務領域業務領域

預警雷達放小器

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳有30多年的的寬帶網GAP原的材料料和科技創新貨品,CREE科銳就是個詳細的設置合作共贏盟友,完全符合頻射的具體需求,CREE科銳為行業內人士技巧前沿的絲機POS機供給更強的輸出功率和更低的功能鍵損耗費。CREE科銳由最初了的GaN基面材料LED物料技術應用優勢全世間,到微波通信rf射頻與厘米波心片物料,CREE科銳于2017年分離法出徽波微波射頻企業Wolfspeed,以帶寬、大馬力變小器軟件為自己的特色。

山東市立維創展科技創新是CREE的供應商商,有CREE微波通信元器件封裝長處訂貨途徑,并經常庫存積壓現貨黃金,以供國內 市廠需要量。

詳細情況掌握CREErf射頻微波射頻請單擊://anchor-appliance.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

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Packaged Discrete Transistor

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