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推送時間段:2019-01-23 15:46:38 打開網頁:1790
CREE的CMPA0060025F一種體系結構氮化鎵(GaN)HEMT的單支微波加熱集成式電路原理(MMIC)。與硅或砷化鎵比較,GaN具優等的特性,分為更快的熱擊穿電壓降,更快的飽和自動化漂移進程和更快的傳熱性率。與Si和GaAs單晶體管相比較,GaN HEMT還保證很大的工作效率孔隙率和更寬的速率。該MMIC可在小大小,扭松式二極管封裝中達到極寬的網絡帶寬。
CMPA0060025F參數
最高值轉換工作電壓
25W
應用
萬能光纖寬帶,50 V
基本特征工作電壓(PSAT)
25瓦
操作相電壓
50伏
電流擊穿電流
高
頻率
DC - 6.0 GHz
包裝盒性質
輪緣
小手機信號收獲
17音貝
厚度
0.5 x 0.59英寸
CMPA0060025F實物圖
