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HMC930A就是款砷化鎵(GaAs)、假晶高光手機遷址率(pHEMT)、單融合塊微波加熱融合電路設計(MMIC)遍布式崗位效率縮放器，崗位率區域為DC至40 GHz。 HMC930A提供了13 dB增益控制控制值、33.5 dBm導出IP3和22 dBm導出崗位效率（1 dB增益控制控制值降低），耗電為175 mA（利用10 V電源輸出模塊）。 HMC930A在8 GHz至32 GHz區域內具備著略正增益控制控制值斜率，從而是非常適于光手機戰(EW)、光手機對戰(ECM)、雷達探測和測試儀機器設備采用。 HMC930A縮放器輸出精度/導出(I/O)內部管理自動匹配50 ?，可快速融合到多融合塊輸出模塊(MCM)中。 很多數劇均由利用較長0.31 mm (12 mils)的兩條線0.025 mm (1 mil)線焊銜接的融合塊取得。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC930A HMC930A-SX	GaAs、pHEMT、MMIC、0.25 W功率放大器，DC - 40 GHz	現貨	102

HMC930A應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和VSAT s
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

HMC930A優勢和特點

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的高輸出功率： 22 dBm
• 高飽和輸出功率(PSAT)： 24 dBm
• 高增益： 13 dB
• 高輸出三階交調截點(IP3)： 33.5 dBm
• 電源電壓： 10 V (175 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.82 mm × 1.50 mm × 0.1 mm

HMC930A結構圖