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?第一代650 V裸片SiC MOSFET

正式發布時候：2025-01-03 16:57:39     手機瀏覽：630

行在業內超頂級導通內阻和轉換開關自然損耗，可能變現最優能和馬力黏度參數值。

Wolfspeed會根據3、代650 V SiC MOSFET增高了其氧化硅（SiC）能力上的制約影響。在更切實的能量設備中符合體重更小、含量更輕、高些效的能量轉成。650 V SiC MOSFET是性菁英工業企業交流電源、服務管理器/鐵通互聯網主機電源、新資源電動四輪車（EV）快充裝制、存儲主設備、應及電源模塊（UPS）和充電服務管理系統軟件的等的功能的更好選。

特點

恒溫生態的低導通熱敏電阻

低鉆入電解電容

兼具非常低正向還原的科學規范電感

一直炎熱遠程操作（Tj=175°C）

MOSFET.png

資源優勢

依據整改打開和發送耗損上升生產設備學習效率

控制高旋轉開關頻帶寬度調節

增長模式級最大功率體積密度參數表

消減安裝規格尺寸；克重；和蒸發的標準

典范技術應用

工業制造電源線

工作器/電信寬帶網洛

新清潔能源快速電動充電樁部件

儲電環保設備（ESS）

應急救援電源模塊（UPS）

鋰電池處理裝置（BMS）

CREE科銳于2017年離心分離出徽波rf射頻企業Wolfspeed，以帶寬、大輸出圖像放大儀車輛為杭州特色。

武漢市立維創展自動化是CREE的生產商商，擁有著CREE微波通信配件優勢可言供貨周期途徑，個人信譽以確保原裝進口真貨。

*一些款式需審請新西蘭出口處允許。商品詳情介紹其他技術參數，歡迎大家管理咨詢立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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