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GTRB246608FC-V1是CREE的一種500瓦（P4dB）的SiC上GaN高智能電子轉化率結晶管（HEMT），著力推進于多條件蜂窩狀工率調大器APP要方案。GTRB246608FC-V1符合有生產率和無軸環的熱強化封裝形式。

產品設備型號

陳述：高效率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

上限率（MHz）：2400

增益值（dB）：15.7

裝封類型：Earless

的特征

典例電脈沖CW穩定性，2400 MHz，48 V，10μs脈沖激光的頻率，10%占空比，組合式讀取

P4dB=600 W時的的輸出最大功率

P4dB=60%時的利用率

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