一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

WS1A2639-V1-R3K是CREE的那款非中心對稱多赫蒂效率放小器控制模塊（PAM），將GaN on SiC新技術應該用和現代化的相匹配和偏置電壓值微信網絡集成控制系統在具備著高品質排熱控制系統的雙層層壓基本材料上。WS1A2639-V1-R3K頻繁 范疇在2496 MHz至2690 MHz。而且動用高50V的電源適配器電流；平均值傳輸功效要求為6至8 W，高達值分子減低，數據預失真正LTE和5G NR數據庫信息，瞬時帶寬的配置高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封停裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封口中。

企業產品產品規格

表述：38.5dBmGaN on SiC電機功率調小器模塊圖片；2496-2690MHz

評均率（MHz）：2496

很高概率（MHz）：2690

P3dB輸出工作功率（W）：50

增加收益值（dB）：16.5

質量（%）：57

電機額定功率電流電壓（V）：48

封裝類型：表面能貼裝

二極管封裝類型：二極管封裝類型分立氯化鈉晶體管

技藝創新技術：SiC上的GaN

特征描述

GaN基SiC技術水平廣泛應用

從配件的兩邊主導和更高值子變大器滿足柵極偏置電流電壓電源適配器

一體化化諧波終端設備

無鉛并充分考慮RoHS標淮

推薦的驅使安裝使用是WSGPA01

長沙市立維創展高新科技不多機構認證生產商CREE微波射頻集成電路芯片，要是需要購CREE物品，請點開左面售后客服找話題咱們！！！