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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高智能變更率氯化鈉晶體管（HEMT），采用在多基準蜂窩狀公率放縮器枝術采用。GTRB226002FC-V1有著極有效率化和無軸環的熱激發打包封裝模式。

企業產品規格

結合：SiC HEMT上的高功效RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最小頻繁（MHz）：2110

極高速度（MHz）：2200

P3dB傷害馬力（W）：450

增益值值（dB）：15

能力（%）：60

表現

典型示范的脈沖造成的CW使用性能：10μs電脈沖橫向，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty沖壓模具質量=65%

增加收益值=14dB

P3dB=450W時的輸入輸出電率

嫩模整治1B級（隨著ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛并考慮RoHS規定

GaN基SiC HEMT技術工藝

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