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GTRB204402FC/1是CREE的幾款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器材遷徙率結晶體管（HEMT），專注于于多準則蜂窩狀熱效率變小器技術設備適用供給設汁。GTRB204402FC享有高效性率和無軸環的熱激發封裝形式。

軟件尺寸

介紹：SiC HEMT上的高功效RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

平均概率（MHz）：1930

極限頻繁（MHz）：2020

P3dB效果耗油率（W）：350

增益值值（dB）：16.3

極有能力率（%）：58

額定值電阻（V）：48

打包封裝等級分類：Earless

封裝：封裝分立納米線管

技術設備：SiC上的GaN

癥狀

典例的電脈沖CW能，2020 MHz，48 V，10μs脈沖激光總寬，10%pwm占空比，樂隊組合效果

P3dB=350W時的讀取工作效率

P3dB時的高質量率=65%

男模特模形1C級（跟據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并需求RoHS要求

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