一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

PXAE263708NB-V1是CREE的那款400瓦（P3dB）LDMOS FET，廣泛應用于2620至2690 MHz頻段的多規則蜂窩狀工作功率擴大器工藝利用。一般包括輸人輸出更換；高收獲及擁有無突緣的熱加強封口主要形式。PXAE263708NB-V1選擇顯著的LDMOS施工生產技術性；PXAE263708NB-V1具備著不錯的熱不穩性和不錯的衛生能力。

物料技術參數

具體分析：高瓦數RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

較低聲音頻率（MHz）：2620

很高次數（MHz）：2690

P3dB工作輸出熱效率（W）：400

增益控制（dB）：13.5

有效率（%）：47

額定交流電壓（V）：28

封裝種類：泡沫塑料

芯片封裝風格：芯片封裝風格風格分立晶胞管

的技術：LDMOS

結構特征

網絡帶寬內部人員進入的輸出替換

非軸對稱性Doherty結構設計：主P1dB=140W明顯值；是最高的值P1dB=260 W關鍵值

基本特征的脈沖信號CW特征；2655MHz；28v；多爾蒂構型；AB類：P1dB=200W時的的輸出熱效率；P3dB=400W時的效果最大功率；高效率=49%（POUT=57 W對數正態分布）；收獲=15 dB（POUT=57 W對數正態分布）

才可以操作32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）導出功效

集成化化ESD呵護

無鉛并充分滿足RoHS規定

河南市立維創展科持有限制的司授權管理經銷商CREE微波加熱集成電路芯片，假如必須 購CREE產品，請點右邊客戶服務熱線搞好關系我門！！！