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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是種帶寬多晶體管集成ic，應對DC-3.5 GHz本職的工作實現了優化網絡。該電率器件支持系統CW，激光脈沖和線型本職的工作，輸出精度電率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150十分使APP在民防光纖通信，大陸挪動手機wifi手機電，中國航空智能系統，手機wifi手機基本生活設施，ISMAPP和VHF / UHF / L / S股票波段雷達探測。所采用SIGANTIC®技藝打造 - 種專有的GaN-on-Silicon技能。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是世界上唯一一個這家用到rf射頻適用的GaN on Si技術水平應用領域廠家直銷商。讓小編在Si RF工率氯化鈉多氯化鈉晶體管企業品牌上展示 很廣的間斷性波（CW）GaN，是 分立元件和控制器，設計制作崗位在DC至6 GHz。讓小編的高工率CW和線性數據網絡氯化鈉多氯化鈉晶體管是民用型航材光學儀器，電力，數據網絡，長單脈沖汽車雷達包括重工業，有效和治療適用的很理想選。讓小編的企業品牌搭檔利用率了MACOM高達60年的民俗，即便是用GaN on Si技術水平應用領域展示 細則和私人訂制來解決實施方案，以滿足了業主最尖酸刻薄的供需。讓小編的GaN on Silicon企業品牌，運用分立氯化鈉多氯化鈉晶體管和集成型放小器，運用0.52umHEMT工序，在工率，收獲，收獲崎嶇不平度，使用率因素情況出出眾的RF耐磨性，