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UMS徽波CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

單晶體管以裸晶片類型提供數據，還要靜態輸入集成運放方可更加充收切實發揮其升值空間。只不過，該是這般制定性能詮釋了CHK5010-99F雄厚的作用和大范圍的技術應用升值空間。核心顯著特點包擴其經驗豐富的帶寬的能力，支持系統高達hg12 GHz的電脈沖和維持波工作。根據GaN新技術，該設置可做到高讀取和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時做到最佳選擇能力。最后，該單片機芯片體現了0.90x0.80x0.1mm的主體工程尺寸圖，即便在異常的區域中也需要快些整合。除去其領航的效果，CHK5010-99F還非常符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006規則，抓好環保標準和安全管理。這讓玩家在選擇和選擇成品時順心，而不可好怕對的環境的非常不利影響到。換句話說，CHK5010-99F也是款最該滿意的高特點GaN多晶體管，都具有比較廣泛的軟件應用教育領域和出眾的功用。其引人形象深切的特點和貼合餐飲行業標淮使其變為rf射頻額定功率軟件應用教育領域的可靠性會選擇，為該教育領域創造了新的很有機率。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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