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正式發布時段:2018-09-03 14:48:30 訪問:2216
CMD226N3都是款移動寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,用陶瓷圖片QFN芯片封裝。當由+15 dBm走勢驅使時,乘法器在18 GHz的模擬輸出頻繁下帶來了10.5 dB的轉化成耗損。Fo和3Fo丟開度各分為為44 dBc和46 dBc。CMD226N3選用50歐姆連接設計構思,不可RF端口號連接。
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Custom mmic
CMD226N3
3-4周
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CUSTOM MMIC專業利用GaAs MMIC技術開發RF /微波有源和無源倍頻器,提供無源倍頻器或有源倍頻器,采用50歐姆匹配設計 - 無需外部DC模塊和RF端口匹配。這些寬帶MMIC乘法器IC在無源器件的4 GHz至15 GHz(C,X,Ku波段)輸入頻段和有源器件的12 GHz至20 GHz(Ku,K波段)范圍內提供高性能。這些乘法器MMIC提供高達17 dBm的高輸出功率,并且在小裸片尺寸下具有出色的Fo和3Fo隔離。用于尋找高隔離度的射頻/微波電路設計器的有源和無源倍頻器MMIC。
特征英文
技術參數
典型案例
有些原因分析
壓制頻點 增長
導入的頻率 (千兆赫)
7 - 11
傷害概率 (千兆赫)
14 - 22
進入最大功率(dBm)
15
內容輸出工作功率(dBm)
五
Fo防護(dB)
44
3 Fo底部隔離(dB)
46
包
3x3直徑