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CMPA1C1D060D是款氫氟酸處理硅多晶硅上選擇氮化鎵 (GaN) 高電子器件轉至率結晶管 (HEMT) 的單支微波通信結合電路原理 (MMIC)；CMPA1C1D060D使用0.25 μm柵極長寬比做成生產技術。與硅相對于較，GaN-on-SiC具備越來越成績突出的耐腐蝕性；砷化鎵或硅基氮化鎵；富含較高的穿透場強；較高的飽滿智能漂移質量和較高的傳熱性比率。

有特點

遵循 26 dB 小走勢增加收益值

60 W 非常典型 PSAT

穩定端電壓高至 40 V

高損壞場強

中高溫度操控性

應該用業務領域

PTP 移動光纖通信

定位無線通訊上升路由協議

成品的規格

說明：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 最大功率增加器

最便宜聲音頻率(MHz)：12700

最快頻次(MHz)：13250

極高值導出公率(W)：65

增益值值(dB)：26.0

吸收率（％）：30

功率電流電壓(V)：40

模型：MMIC 裸片

芯片封裝行業類型：Die

工藝使用：GaN-on-SiC