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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特證

7.9–8.4GHz工作上

80WPOUT（舉例值）

>13dB工作電壓收獲值

33%經典非線性PAE

50Ω內部組織匹配

<0.1dB瓦數降底

操作域

通迅衛星通迅

地面上聯通寬帶

新產品技術參數

描繪：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；復制粘貼/效果達配GaNHEMT

最高工作頻率(MHz)：7900

高頻段(MHz)：8400

更高值輸出的耗油率(W)：50

增益控制值(dB)：13.0

能力（％）：33

額定功率相電壓(V)：40

方式：裝封方式分立晶狀體管

打包封裝方式行業類別：法蘭部盤

技術性用：GaN-on-SiC