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?CGHV50200通訊衛星通訊網絡氮化鎵高電子技術挪動率晶胞管CREE

發布公告精力:2024-01-16 17:16:48     瀏覽器:893

CGHV50200F是種幫忙開發用在高效化氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇;4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

CREE (17).png

表現

4.4–5.0GHz的工作

180W通常PSAT

11.5dB普通耗油率增加收益值

48%常見的主機電源效果

50Ω內自適應

應用軟件業務領域

網絡通訊衛星網絡通訊

撼動視野中——BLOS

自然通風層光電器件散射通訊設備

好產品金橋銅業跨接線的截面積大小

描敘:200瓦;4400-5000MHz;50Ω放入/傳輸匹配;氮化鎵高自動化遷入率晶胞管

更低幾率(MHz):4400

最大次數(MHz):5000

最好值導出諧波失真(W):200

增益控制值(dB):11.5

的工作率(%):33

額定的相電壓(V):40

結構:打包封裝結構分立結晶管

封裝類別類別:法蘭片盤

技木適用:GaN-on-SiC

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