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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高自動化轉移率單晶體管(HEMT)。具有前所未變的錄入，能夠在DC-2.0GHz范疇以上帶來了好的的瞬時帶寬功效。與硅或砷化鎵對比較，CGHV40180具有著變得比較好的性；比如最高的損壞場強；最高的飽和狀態電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移訪問快與慢最高的傳熱性指數。與Si和GaAs納米線管差距較，CGHV40180還展示 更高的的熱效率密度計算公式和更寬的上行速率。CGHV40180選擇使用2接地線鋁合金/陶瓷廠家法蘭片盤和藥丸式封裝形式，可能保證是最好的電力設備和熱平穩性。

表現形式

鍵盤輸入不自適應

180W(CW)最低標準工作功率

250W舉例熱效率

24dB一般小訊號增加收益值

28V和50V用到

主要用途領域

汽車雷達檢測

社區醫療健康

網絡帶寬擴大器

企業信息安會VHF-UHF

航空航天軍事科學網絡通信環保設備

新產品要求

描訴：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高手機變更率氯化鈉晶體管

低頻點(MHz)：0

最快頻繁 (MHz)：2000

是最高的值輸入瓦數(W)：200

增益值值(聲音分貝)：24.0

錯誤率（％）：70

穩定端電壓(V)：27

內型：封裝分立尖晶石管

二極管封裝分類：法蘭片盤、丸狀

科技軟件應用：GaN-on-SiC