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CREE的CGHV96130F是氧化硅(SiC)板材上的氮化鎵(GaN)高轉入率單晶體管(HEMT)與各種的技術相較于，CGHV96130F內部結構適應環境(IM)FET極具表現出色的功效額外增加吸收率。與砷化鎵想必，GaN具備好的性能指標；包擴越來越高的穿透場強；越來越高的達到飽和狀態電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移運行速度和越來越高的熱導率。與GaAs納米線管相比之下，GaN HEMT還具更強的馬力比熱容和更寬的帶寬的配置。CGHV96130F應用廢金屬/陶瓷制品蝶閥法蘭打包封裝需要完成最加的電力電氣和熱安全性。

有特點

166WPOUT（典范值）

7.5dB耗油率增益值值

42%一般PAE

50Ω的內部支持

<0.3dB最大功率下跌

企業產品規格

描訴：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；通常用做X中波段汽車雷達軟件的輸進/輸出精度兼容性測試GaNHEMT

最低頻點(MHz)：8400

最主要聲音頻率(MHz)：9600

最底值的輸出工率(W)：130

效應（％）：42

功率相電壓(V)：40