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?CGHV35150 S頻譜效率增加器CREE

更新時刻：2023-10-16 16:55:53     訪問 ：873

Wolfspeed的CGHV35150是款很設計方案的科學規范率氮化鎵(GaN)高電商搬遷率納米線管(HEMT)；高收獲和光釬聯通寬帶安全性能；這也這讓CGHV35150特殊適合2.9–3.5GHzS中波段預警雷達放小器廣泛應用。CGHV35150所用陶瓷圖片/復合蝶閥法蘭和藥丸式封口。

特征描述

載荷系數數量=150W@TCASE=85°C

工作頻率的范圍=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB熱效率增益值值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時典型的漏級速度為50%

放入更換

<0.3dB脈沖造成的波動有效降低

應運前沿技術

S頻譜聲納放縮器

CREE（科銳）建成于1987年，CREE科銳提供30多年以來的帶寬GAP原產品料和改革產品創新，CREE科銳就是個詳細的規劃的合作火伴，不符合頻射的使用需求，CREE科銳為行在業內新技術最前沿的機子機 供給更強的公率和更低的功用消耗。CREE科銳由最著手的GaN基本材料LED好產品技能技術型全世界，到微波rf射頻rf射頻與豪米波基帶芯片好產品，CREE科銳于2017年區分出紅外光rf射頻高端品牌Wolfspeed，以網絡帶寬、大額定功率調大器類產品為特點。

廣州市立維創展科技信息是CREE的銷售商，獲得CREE微波加熱元器件封裝特點供應方式，并長遠存儲期貨，以防國行業需要量。

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CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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