一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

?SemiGen肖特基二級管

披露日期：2023-05-29 17:00:04 閱讀：1056

SemiGen的硅肖特基穩壓管強院于40GHz以下的技能水平的采用一些需求方案怎么寫。獨特加工處理的技能水平利用一些重金屬材料做方案怎么寫為低、采和高隔斷的技能水平采用供應耐熱性優勢與劣勢。后面效果是有著從嚴把控功率電阻的低功率電阻二級管，才可以實現了較高成功率。SemiGen肖特基場效應管低交流信息消耗的資金和成績突出的TSS而使穩壓管為了讓上班頻段從S光波到Ka波長的監測器/混頻器系統操作還有解調器、低工作電壓限止器和高速公路度電源開關的合適挑選。

表現：

多結除理處理器

低1/F躁音

總結電容（電容器）

用途：

應用在混頻器、探測器器、倍頻器達成和解調器。

SemiGen是新西蘭開家晶圓級頻射集成電路芯片知名度派制作商，從晶圓到封裝集成電路芯片, 品項豐富多彩，從核工業級MIL-PRF 38534到警用MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen努力于給出有遠見的重量和可信度性。

武漢市立維創展現代科技有效司，受權選擇于中國國空間區域營銷SemiGen物品，并提拱顧客買之前和售后維修點技術水平能夠精準服務。

詳情介紹要了解SemiGen請雙擊：//anchor-appliance.cn/brand/64.html

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SLB100	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB101	3.0	0.280	0.20	20.0	-52
SLB102	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB103	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB104	3.0	0.250	0.15	20.0	-55
SLB105	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB106	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB107	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB108	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB109	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB110	3.0	0.300	0.14	20.0	-50
SLB111	3.0	0.320	0.25	20.0	-48
SLB112	4.0	0.250	0.20	20.0	-55
SLB113	4.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB114	4.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB115	4.0	0.320	0.15	0.35	-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SMB200	3.0	0.400	0.14	20.0	-52
SMB201	3.0	0.400	0.20	20.0	-50
SMB202	3.0	0.400	0.12	20.0	-48
SMB203	3.0	0.400	0.14	20.0	-45
SMB204	4.0	0.425	0.15	20.0	-52
SMB205	4.0	0.425	0.15	20.0	-50
SMB206	4.0	0.425	0.12	20.0	-48
SMB207	4.0	0.425	0.14	20.0	-45
SMB208	4.0	0.450	0.14	20.0	-52
SMB209	4.0	0.450	0.15	20.0	-50
SMB210	5.0	0.450	0.14	20.0	-48
SMB211	5.0	0.450	0.25	20.0	-45
SMB212	5.0	0.475	0.21	20.0	-52
SMB213	5.0	0.475	0.15	20.0	-50
SMB214	5.0	0.475	0.12	20.0	-48
SMB215	5.0	0.475	0.15	20.0	-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SHB300	5.0	0.500	0.14	25.0	-52
SHB301	5.0	0.500	0.20	25.0	-50
SHB302	5.0	0.500	0.12	25.0	-48
SHB303	5.0	0.500	0.14	25.0	-45
SHB304	5.0	0.525	0.15	25	-52
SHB305	5.0	0.525	0.15	25.0	-50
SHB306	5.0	0.525	0.12	25.0	-48
SHB307	5.0	0.525	0.14	25.0	-45
SHB308	6.0	0.550	0.14	25.0	-52
SHB309	6.0	0.550	0.15	25.0	-50
SHB310	6.0	0.550	0.14	25.0	-48
SHB311	6.0	0.550	0.25	25.0	-45
SHB312	6.0	0.600	0.21	25.0	-48
SHB313	6.0	0.600	0.15	25.0	-45
SHB314	6.0	0.600	0.12	25.0	-42
SHB315	6.0	0.600	0.15	25.0	-40

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: 32 位 PSoC? 6 Arm? Cortex?-M4 / M0+微控制器Cypress