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發布信息期限:2023-05-08 16:39:50 觀看:1203
CREE PTVA123501EC和PTVA123501FC LDMOS FET設計用作1200MHz至1400MHz頻率段的功率放大器技術應用。特征包括具有切槽和無耳法蘭盤的高增益和熱加強型封裝形式。PTVA12350選用Wolfspeed最先進的LDMOS工藝技術;PTVA12350提供優異的熱穩定性和優異的安全可靠性。
顯著特點
寬帶網絡內部的插入輸出適應
高增益控制和速率
模塊化化ESD愛護
低對流傳熱公式
經久耐造
無鉛并做到RoHS規則明文規定
操作
1200至1400MHz的頻率段的電功率變大器;聲納測探
CREE(科銳)成立公司于1987年,CREE科銳兼具30幾年的移動寬帶GAP原料料和改革創新產品,CREE科銳都是個齊全的設置企業合作盟友,具有微波射頻的需要,CREE科銳為行行業高技術領先地位的器機系統提高更強的電功率和更低的技能損失。CREE科銳由最進行的GaN基本材料LED物料技巧先進全部上,到徽波rf射頻與公分波單片機芯片物料,CREE科銳于2017年隔離出徽波頻射企業Wolfspeed,以移動寬帶、大公率變小器食品為地方特色。
廣州 市立維創展科技產業是CREE的生產商商,都有CREE微波射頻器材長處供貨合同推廣方式,并常年交易量期貨,以便我國的市場供給。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA123501FC-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 350 W | 17 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
PTVA123501EC-V2 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 350 W | 17 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |