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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

結果英文，孩子積極的成功致使無源GaN混頻器制作在讀取三階交調截點（IIP3）與本地服務自由振蕩器（LO）推動器的比例幾個方面如果超過整個砷化鎵（GaAs）無源混頻器制作 - a品行因素制作MMIC就在成就規則化吸收率。從S光波到K光波（2 GHz到19 GHz），這樣的一種新型無源GaN混頻器展示板的IIP3數值遠如果超過30 dBm，LO推動電平約為20 dBm，規則化吸收率如果超過10 dB。

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