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?CG2H80120D C中波段GaN HEMT 基帶芯片CREE

發部的時間:2022-11-16 16:53:01     訪問:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高手機遷入率氯化鈉晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相對較,GaN具備著最好越的使用性能;CG2H80120D含有極高熱擊穿場強;極高是處于飽和狀態電商漂移速率單位;和極高熱導率。與Si和GaAs尖晶石管比起來較,CG2H80120D必備更好輸出功率溶解度和更寬的下行帶寬。

特征描述

120W經典PSAT

28伏控住

高擊穿電壓場強

常溫度把控

高至8GHz的操作

有的效率率

APP

2路專用箱無線網通迅

寬帶網絡放縮器

蜂窩根基措施發展

測試圖片設配

ClassA;AB;最主要的使用在OFDM的規則化拖動器;無線路由頻分多址;邊角;CDMA波型

CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳應具30十多年的帶寬GAP鋼筋取樣料和技術創新廠品,CREE科銳有的是個全版的設汁合作項目摯友,貼合頻射的要,CREE科銳為行在業內系統當先的機機械設備出示更強的馬力和更低的的功能材料耗費。CREE科銳由最剛剛開始的GaN基本材料LED設備技能更優全市場,到微波加熱rf射頻與分米波電子器件設備,CREE科銳于2017年破乳出微波rf射頻rf射頻的品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大馬力調大器設備為上海特色。

上海市立維創展新材料技術是CREE的零售商商,存在CREE徽波集成電路芯片優質購貨途徑,并長年銷量現貨黃金,以期中國內地股票市場實際需求。

詳細信息介紹CREE頻射徽波請點一下://anchor-appliance.cn/brand/35.html

CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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