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CGH40025 C波長25W 頻射工作電壓 GaN HEMT CREE

正式發布日期:2022-09-07 17:12:19     瀏覽訪問:938

Wolfspeed的CGH40025無可挑剔的;氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT)。CGH40025;從28伏電壓軌工作;提供通用型;CGH40025寬帶網絡解決方案適合各種射頻和微波應用領域。GaN HEMT提供高效率;高增益和寬帶網絡寬性能;CGH40025稱為線性和壓縮功率放大電路理想的選擇。晶體管可旋進;法蘭封裝和焊接藥丸式封裝。

CGH40025.png

特征英文

高至6GHz的超控

2.0GHz時15dB小數字信號增加收益值

4.0GHz時13dB小移動信號增益值值

30W其最典型的PSAT

PSAT成功率為62%

28伏操控性

廣泛應用范疇

2路私錄音機

寬帶網變成器

蜂窩基本知識裝置的建設

公測機

ClassA;AB;最主要應用于OFDM的線性網絡增加器;W-CDMA;EDGE;CDMA波形參數

CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳享有30這么多年的網絡帶寬GAP原料料和信息化服務,CREE科銳也是個完整性的的設計聯合好伙伴,契合頻射的實際需求,CREE科銳為行在業內技術應用一流的系統生產設備供應更強的電率和更低的作用衰減。CREE科銳由最逐漸的GaN材料的特性LED軟件新技術領先地位全各地,到紅外光頻射與分米波單片機芯片軟件,CREE科銳于2017年溶合出徽波頻射公司Wolfspeed,以網絡帶寬、大功效放縮器產品為獨具特色。

杭州市立維創展科持是CREE的經售商,有了CREE微波通信電子器件特色采購推廣渠道,并持續貨存現貨平臺,僅作我們專業市場需要。

情況理解CREErf射頻微波通信請點擊量://anchor-appliance.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGH40025F

GaN on SiC

DC

6 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange

CGH40025P

GaN on SiC

DC

6 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGH40025F-AMP

GaN on SiC

3.4 GHz

3.8 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Evaluation Board

Flange


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