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C中波段氮化鎵 HEMT圖像放大電路CGHV1F025 CREE

發布信息期限:2022-08-17 16:53:17     訪問:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S運營在40伏跌路道岔上,封裝類型在3mmx4mm;表面上裝設;雙扁圓無絞線(DFN)封裝形式。減低了耗油率;CGHV1F025就可以從40V至20VVDD電流值下進行;做到高增加收益和快速率。

表現形式

達15GHz的控住

25W典范輸送功率

9.4GHz時11dB增益控制值

8.9–9.6GHz的技能app電路系統

操作

L;S;C;X 和Ku波長變成器

CREE(科銳)確立于1987年,CREE科銳必備30多年以來的移動寬帶GAP原產品料和什么是創新產品,CREE科銳就是個全版的設計制作合作關系同伴,包含rf射頻的供給,CREE科銳為行行業內水平前沿的廣州POS機專用設備給出更強的額定功率和更低的的功能消耗的資金。CREE科銳由最剛開始的GaN板材LED新產品的系統更優全全球,到紅外光微波射頻與mm毫米波集成塊新產品的,CREE科銳于2017年溶合出紅外光rf射頻公司Wolfspeed,以帶寬、大工作功率拖動器成品為特點。

河南市立維創展社會是CREE的生產商商,享用CREE微波加熱元器件封裝優勢與劣勢購貨營銷渠道,并長時間庫存積壓外盤,以期國內 整個市場市場需求。

詳情介紹熟知CREE紅外光射頻紅外光請超鏈接://anchor-appliance.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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