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更新事件:2022-07-20 16:36:43 查看:889
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
本質特征
17dB典型示范。10GHz時的小無線信號增加收益值
60%舉例值。10GHz時的PAE
6W典型的Psat
40伏遠程操作
高至18GHz的遠程操作
應用領域
遙感衛星通迅
PTP通訊網絡接連
水域雷達探測
釣魚艇預警雷達
渤海灣漁業交通運輸服務
寬帶網放縮器
效果高率變成器

CREE(科銳)開設于1987年,CREE科銳必備30二十多年的網絡帶寬GAP原板材料和革新產品開發設備,CREE科銳有的是個完正的設計合作方式火伴,遵循rf射頻的需要量,CREE科銳為行業內人士技術性頂尖的刷卡機的設備供給更強的額定功率和更低的能力消耗的資金。CREE科銳由最展開的GaN基本材料LED物料科技頂尖全游戲,到微波通信微波射頻與mm毫米波IC芯片物料,CREE科銳于2017年隔離出微波加熱頻射加盟品牌Wolfspeed,以帶寬、大效率調大器食品為少數民族特色。
蘇州市立維創展科技創新是CREE的供應商商,都有CREE微波加熱元件其優勢供貨期流通渠道,并持續庫存量外盤,以期國家市場的供需。
寶貝詳情知道CREErf射頻紅外光請點擊率://anchor-appliance.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |