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 HMC637BPM5E是一個款砷化鎵(GaAs)、單電源芯片紅外光集合電源電路(MMIC)、假晶高智能搬遷率晶狀體管(pHEMT)、級聯分布點式電機工作電壓放小器，在通常崗位時可進行自偏置且具備有IDQ可供選擇偏置調控和增益值控制控制修改。該放小器的崗位幀率超范圍為DC至6 GHz，展示15 dB小數據信息增益值控制控制、27.5 dBm模擬導出電機工作電壓（1 dB增益值控制控制減少）、40 dBm明顯模擬導出IP3和4 dB燥音指數，用VDD 12 V交流電源電壓值時功能損耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz超范圍內的增加收益溝壑度（常見值±0.5 dB時）是非常表現出色，之所以非常比較適合軍事訓練、外太空和測試儀裝備所采用。HMC637BPM5E還有著企業內部適應至50 Ω的投入/模擬輸出(I/O)，所采用符合國家RoHS細則的5 mm × 5 mm LFCSP預制混凝土空腔封裝，可與高存儲空間表貼技巧(SMT)安裝裝備兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2