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發布消息時期:2022-06-15 16:38:22 手機瀏覽:1385
氮化鎵(GaN)輸出半導體行業技術工藝適用為加強rf射頻/微波射頻效率拖動器耐腐蝕性提出了非常大的成就。采用下降元元器封裝的附生元器封裝,選則更短的柵極面積和較高的電流頻率,GaN晶胞管符合了高的轉換功率、更寬的上行速率和較快的整流電源模塊rf射頻質量。
隨以GaN布料材質為帶表的3、代半導體設備電子器件的出生,GaN HEMT而且其寬頻率段隙而遭受重視,高對流換熱系數性、高擊穿電壓場強和高閥值電子無線變更傳輸速率。依據GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
蘇州市立維創展網絡是Teledyne防務智能電子的廠商商,打造Teledyne防務電子元器件食品涉及到LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防務微電子產品設備線扶持寬幀率段、窄帶、脈沖信號圖像放大器電路,幀率1MHz~220GHz,電機功率mW~10kW,優缺點分銷渠道提供了Teledyne防務手機進貨,歡迎詞質詢。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |