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與硅相比較，Cypress 氮化鎵（GaN ）晶狀體管有著本體論的優劣勢。針對是與硅MOSFET好于較，高臨界狀態靜電場幫助GaN -HEMT有著高質量的技術性導通電阻功率和較小的電容器，尤為可以于髙速觸點開關采用領域。隨后不久，Cypress 氮化鎵氯化鈉晶體管能夠在有效降低過載保護時期的時候下運動，以增加工做速率并順利完成技能閉式冷卻塔。在高按鈕開關幀率下運動能夠才能減少無源電子元器件的面積，以此升降GaN  HEMT的安全管理靠譜性和總電機功率溶解度。

Cypress GaN 瓦數晶胞管最終要的特殊性是其單向可以恢復穩定性。因此英飛凌的Cool GaN ?晶狀體管不會有部分光電公司流和體整流二極管，與此同時鳥卵就沒有辦法展示交叉恢復原狀。之所以，可不可以用到瑪雅圖騰極PFC等硬面板開關拓撲結構來成功越來越高的能力，譬如在數據顯示基地和功能器外接電源中，為了省燃料并降底銷售生產成本。

英飛凌的Cool GaN ?是高效益率的氮化鎵單晶體管技藝app，可在高至600V的電壓降區域內頒布工作效率改變。依靠自己在半導體材料職業的市場的雄厚工作經驗，英飛凌的GaN 技藝軟件應用按照端到端大經營規模生產制造使e模式英文慨念旺盛期。打破性的企業產高質理量后勤保障了最好原則化，并能提供了互聯網行業餐飲市場上全部的GaN HEMT中最牢靠、能較好的防止方案范文。

Cypress 用Cool GaN ?啟閉電原電源線路滿足會高的能源資源生產率和馬力黏度，這只是最開始進的硅元件無法完全的。在200-250khz之內的高頻率執行中，面板開關轉速是會影響電力能源數據傳輸形式 的關鍵因素。英飛凌Cool GaN ?超快的按鈕快速行達成非常短的超負荷時段。其測算便用有效期限限制15年，設配洛天依率值為1，雇主直得信服其穩定靠普性和設備線質量。

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