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頒布時間間隔:2018-07-12 16:10:34 預覽:1929
XF1001-SC是款高規則化度的Hetrojunction場因素晶狀體管(HFET),采取工業化標準化SOT-89封裝形式。當元器件封裝偏置在8V的漏極電阻和300m的漏極電壓時,需要建立最優使用性能。在這種偏置點,元器件可可以提供已經超越30 dBm的P1dB和已經超越46 dBm的OIP3。XF1001-SC適用性于高達hg6 GHz的用途,其收獲為10 dB。
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MACOM
XF1001-SC
封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管
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