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AMCOM頻射多晶體管GaAs FET

推出時間：2020-09-15 15:12:31     預覽：1852

AMCOM砷化鎵場現象晶胞管(GaAs FET)不是種也可以代替高頻、非常高頻和紅外光頻射縮放電路設計的場因素單晶體管。AMCOM頻射結晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜，從30 MHz到紅外波段。AMCOM微波射頻氯化鈉晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。AMCOM微波射頻單晶體管GaAs FET就是種用盡元件，這叫做著當管控工業無直流電壓降時，它會導電，當柵極有直流電壓降時，溝道水的電導率會調低。

在弱數字信號無線路由電力和廣播節目考慮問題，AMCOMRF晶狀體管GaAs FET的耐腐蝕性遠高于多數是數其它型的場負效應結晶管。那些型的GaAs FET也在微波射頻工作功率變小器。GaAs FET也在地球通信網絡、射電天文學和無線路由電興趣者所做的實驗性。

AMCOMrf射頻尖晶石管GaAs FET兼備健康的直線度。

廣州市立維創展創新科技是AMCOM生產商商，專業的供應AMCOM物料系列的其中包括：rf射頻氯化鈉晶體管、MMIC最大工作功率擴大器、分層擴大器傳感器、光纖寬帶擴大器、高最大工作功率擴大器傳感器、帶RF和DC接觸器的高工作效率圖像縮放器電路方案和低的噪音圖像縮放器電路，工作效率圖像縮放器電路，按鈕，衰減器，移相器并且上/后面交流伺服驅動器的定制化等，商品原裝入口進口清關，產品質量確認，熱情接待顧問。

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 AMCOM.png

三維模型

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1dB（dBm）

IP3（dBm）

偏差（V）

AM010MH4-BI-R

整流電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

電流電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

電流電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

直流變壓器電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

直流電壓電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

直流電壓電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

交流電電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

直流電壓電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

電流電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

整流電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流電電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

整流電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

電流電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

直流電電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

交流電電

6

19

36

49

-28


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