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GaN就是種愈來愈安穩的有機物，享有強大的原子團鍵、高的熱導率、最高的的電離度和不穩的檢查是否安穩性，這隨著GaN配件比Si和GaAs極具更強的抗影響的能力。還，GaN一種高融點、高傳熱性性的材質。GaN工作效率元件基本以SiC為襯底，還具有較佳的熱導率，為此GaN功效器材具備著較高的結輕柔高的溫度運行功能。

GaN高網絡移動率結晶體管(HEMT)早已成為為5G大規模信號塔額定熱學習效率圖像放大電路的主流產品得票率方法，致使其原有的高損壞電阻、高額定熱學習效率黏度、大上行寬帶和高效化率，早已成為為5 G基站設備首先選擇光電器件的技術。

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離散工作功率GaN HEMT