一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放-欧美午夜精品

HMC219B一款超超小款實用雙穩定混頻器，主要包括8引腳超超小款pp塑料表貼封口，帶漏出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單模塊化ic微波射頻模塊化控制電路設計(MMIC)混頻器主要包括砷化鎵(GaAs)五金半導體行業場效果尖晶石管(MESFET)加工過程創造，需不需要靜態電子元器或配對控制電路設計。該元器也可以作頻率范圍內為2.5 GHz至7.0 GHz的上伺服器、下伺服器、雙相熬制器或相位比效器。 立維創展HMC219B用進行升級優化的巴倫設備構造，帶來精湛的本振(LO)至頻射(RF)屏蔽防曬及LO至中頻(IF)屏蔽防曬功效。具備規格RoHS規格的HMC219B需線焊，與高出水量表貼生產加工技能兼容。MMIC功效不穩可提高了裝置工作的有效的施工效率并提高認識具備規格HiperLAN、U-NII和ISM法律法規需求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE用途

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖