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JP503AS低剖面,高使用性能3dB融合交叉耦合器正品倉庫

上傳時刻:2020-04-01 08:51:37     網頁瀏覽:1777

JP503AS是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS顯著特點:

2.0–2.3千兆赫。

3G概率

低耗用

高丟開度

90°正交

表面層貼裝

磁帶和卷盤

無鉛

100%測試方法

JP503AS重點參數指標

頻率(GHZ):2.0 - 2.3

電率(W):25

回波耗損(dB):20.8

添加圖片損耗量(dB):0.30

成都 市立維創展科學是有限的公司Anaren名牌的代里生產商商,關鍵給出貼片混合物合體器、巴倫變電器、延時線、定項合體器、Doherty合路器、功分器、微蜂窩型解耦器、 RF Crossovers物品,物品原廠貨源,最具市場價格勝機,喜歡質詢

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