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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R一個個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5毫米（mm）。它一個個衛浴瓷質封裝形式，很高運行12千兆赫。Bi系類按照層次性制定的衛浴瓷質封裝形式，具有曲折（Bi-G）或直（Bi）引線，按照鑲入式裝設方案。包底的法蘭部還作為直流電壓的接地線、頻射的接地線和熱出入口。本地方符合要求RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
更好排熱的下層

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干撓機

示意圖