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AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總寬為2.5毫米左右（的兩個1.25分米FET串連）。它就是個裸模，可操作步驟高達模型15千兆赫。它能夠給出40.5 dBm的明顯呈現飽和狀態電功率。此地方具有RoHS。

特殊性

敢達15GHz的中頻方法

在2GHz時增益控制=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

采用

蜂窩移動基站設備

有線內網、中繼器

C頻譜VSAT

預警雷達

公測醫療儀器

軍事訓練