AM012WN-BI-R是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總屏幕寬度匹配為1.25mm。它是在一種陶瓷圖片雙包運作高達到10千兆赫。BI款型主要通過特殊的構思的瓷磚芯片封裝,主要通過鑲入式裝設手段,有帶變形(BI-G)或直(BI)電線。封裝下端的法蘭片還充當直流電的接地線、rf射頻的接地線和熱渠道。此這部分達到RoHS。
特點
多達10GHz的中頻運行
增益值=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
單單從表面貼裝
有效率散熱器的最底層
適用
高動態圖片收器
蜂窩無線路由信號塔
寬帶網絡和窄帶調小器
雷達天線
公測設備
國防軍事
干擾信號器
中文名
微波射頻元元件封裝