中文字幕
微波加熱元功率器件
AM025WN-BI-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬為2.5mm。它不是個陶瓷制品封裝，工作的頻率高達模型8千兆赫。BI系例按照特殊性開發的工業陶瓷封裝，按照置入式裝方式方法，暗含彎折（BI-G）或直（BI）電纜線。裝封尾部的活套法蘭的同時當作直流電壓跨接、微波射頻跨接和熱出入口。此一些包含RoHS。
癥狀
達8GHz的低頻工作
增加收益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
面貼裝
能夠水冷的最底層
廣泛應用
高的動態接受到器
蜂窩移動移動基站
聯通寬帶和窄帶調大器
汽車雷達
試驗分析儀器
軍隊
干攏器