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Cree品牌的CMPA2560025F不是種根據氮化鎵（GaN）高自動化變遷率晶胞管（HEMT）的單支微波射頻整合電路設計（MMIC）。與硅或砷化鎵相對，GaN兼備高些的損壞交流電壓、高些的飽和狀態自動化漂移速率和高些的熱導率。與Si和GaAs晶胞管相對，GaN-hemt還兼備高些的瓦數孔隙率和更寬的上行資源帶寬。那樣MMIC涉及到一名有級不良反應適配圖像電壓放大器，使很寬的上行資源帶寬可不可以在一名小的征占適用面積的緊固芯片封裝，兼備銅鎢蒸發器器。

表現形式?24 dB小警報收獲?25 W典范PSAT?作業電壓值達到了28 V?高端電壓擊穿端電壓?高溫度行駛

運用?過寬帶增加器?光釬能夠器?測試測試醫療儀器?EMC變大器