EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口尺寸為120μm,0.15毫米。T形鋁合金平板閘門具備低電阻值和突出的可靠的性。
該電子器件凸顯出是高的跨導,而影響是高的速率和低躁音機械性能。
它以心片狀態提供了,有憑借孔接入的源極,僅需控制柵線和漏極線。
微波加熱元電子電器元件
EC2612-99F 晶體管
微波射頻上行速率(GHz): 電流-40增益控制(dB):9.5燥音公式(dB):1.5訂購交貨:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口尺寸為120μm,0.15毫米。T形鋁合金平板閘門具備低電阻值和突出的可靠的性。
該電子器件凸顯出是高的跨導,而影響是高的速率和低躁音機械性能。
它以心片狀態提供了,有憑借孔接入的源極,僅需控制柵線和漏極線。