CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L光波的不同RF工作電壓應用領域供應了帶寬很好解決方法。該線路極其最適合脈沖激光聲納采用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT藝上確立的。它對于準MMIC系統。
它以滿足RoHS的SMD裝封提供了。
徽波元元器
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
rf射頻網絡帶寬(GHz): 1.2-1.4小數據信號增加收益(dB):16額定功率(W):15相應的增益值(dB): > 14P-1dB傷害(dBm):-PAE(%): > 55訂購交貨時間:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L光波的不同RF工作電壓應用領域供應了帶寬很好解決方法。該線路極其最適合脈沖激光聲納采用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT藝上確立的。它對于準MMIC系統。
它以滿足RoHS的SMD裝封提供了。