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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

關鍵性指標

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射帶寬起步（GHz）： 1.2-1.4小信息收獲（dB）：20功效（W）：200涉及到的增益值（dB）： > 14P-1dB輸出電壓（dBm）：-PAE（％）： 52定購交貨期：3-4周

物料具體詳情書

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

很時候脈沖造成的統計運用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT生產技術上提出來的。它立于準MMIC技術水平。

它應用密封性法蘭部瓷質金屬質開關電源封裝，可出具低寄身和低熱導率。